Elektronikos komponentai

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A NCP5181DR2G ONSEMI

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A NCP5181DR2G ONSEMI

Pasiteirauti apie prekę

Įkelti į palyginimąPašalinti iš palyginimo Palyginti prekes (0)

Pridėti į Mėgstamas

6⁵⁰ € su PVM

Pirkite nuo 5 iki 24 vnt. po 5⁸⁸ €/vnt. Sutaupykite nuo 3¹⁰ € iki 14⁸⁸ €

Pirkite nuo 25 iki 99 vnt. po 5¹⁹ €/vnt. Sutaupykite nuo 32⁷⁵ € iki 129⁶⁹ €

Pirkite 100 vnt. ar daugiau po 4⁶⁵ €/vnt. Sutaupykite nuo 185 € ar dar daugiau

Netinka kaina? Siūlyk savo!

Preliminarus pristatymo terminas : 4 - 6 d. d.

Prekė atvyksta arba mažas kiekis sandėlyje, teirautis

Į krepšelį
- Prekės aprašymas
- Komentarai
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A NCP5181DR2G ONSEMI
Manufacturer: ONSEMI
Case: SO8
Kind of package: tape
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2.2...1.4A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Pulse fall time: 40ns
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: high-/low-side
Number of channels: 2
Impulse rise time: 60ns
Neradote ieškomos detalės? Nežinote ar detalė Jums tiks? - Rašykite el. paštu [email protected]

Ši prekė dar neturi komentarų, būk pirmas ir palik komentarą apie prekę!

Rašyti atsiliepimą

Prekių katalogas

Elektronikos komponentai

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A NCP5181DR2G ONSEMI

IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A NCP5181DR2G ONSEMI